ترانزستور التعديل الشحني المجاني (JFET) هو نوع من ترانزستورات الشحنة التي تستخدم على نحو واسع في الأجهزة الإلكترونية. يستخدم هذا النوع من الترانزستورات عادة بمثابة مفتاح للتشغيل أو ايقاف الحركة الإلكترونية. يعتمد الترانزستور على إشارة الإدخال الواردة لتحديد مقدار الجهد الذي يتم إخراجه من الترانزستور. تعتبر هذه الخواص من الخصائص الأساسية لترانزستور التعديل الشحني المجاني.
ترانزستور ذو المجال المعدني النقي (MOSFET) هو الترانزستور الذي يستخدم في الإلكترونيات لتحكم في العدد المحدد من الأشعة الكهرومغناطيسية التي تنتجها الخلايا الذرية الحاسبة. يستخدم MOSFET لإدارة تيارات الطاقة المنخفضة التي يمكن أن تكون بخصوص لتحكم في الإضاءة أو تحكم في الأجهزة الإلكترونية الصغيرة. بالنسبة للأجهزة الإلكترونية الكبيرة والمتقدمة، يمكن استخدام مكبر ترانزستورات MOSFET لتحكم في تيارات طاقة كبيرة، وذلك لتوفير تيارات أقل طاقة وأكثر تناسبا للتشغيل.
ترانزستور الميدان المعزل (IGFET) هو نوع من ترانزستورات الميدان المستخدم في الأجهزة الالكترونية. وهو يشبه الترانزستور المفتوح الميداني (MOSFET) في بعض الشيء، ولكنه يحتوي على حشوة معزلة أو مستوى عالي من المعلومات، ويستخدم لتحكم في التيار المنخفض. ويتم تشغيله بواسطة الجهد الحزام، ويستخدم في تصميم الأجهزة الإلكترونية والأنظمة الإلكترونية المتطورة.
الفرق الأساسي بين الترانزستور ثنائي القطب (Bipolar Junction Transistor) والترانزستور ذو الحقل المؤثر (Field-Effect Transistor) هو أن الترانزستور ثنائي القطب استعمل الجهد الموصل إلى جهازه للتحكم في التسلق والتنحي الذي ينتجه الجهد الموصلة، ويستخدم كمحول للجهد الموصل إلى جهازه. في حين أن الترانزستور ذو الحقل المؤثر يستخدم حقل الجهد المؤثر على عرض شهادة للتحكم في التسلق والتنحي الذي ينتجه الجهد الموصلة. بالإضافة إلى ذلك، يستخدم الترانزستور ذو الحقل المؤثر أداة أقل جهد من الترانزستور ثنائي القطب لإنتاج التسلق والتنحي.
